Samsung Electronics présente une technologie DRAM 3D de nouvelle génération révolutionnaire, dont le lancement est prévu pour 2025+

Samsung Electronics vise à percer le marché émergent de la DRAM 3D en présentant des technologies de pointe qui stimuleront les progrès du marché à l’avenir.

Samsung ouvre la voie en matière de technologie DRAM 3D et devrait lancer des solutions d’ici la fin de la décennie

Malgré une période de calme relatif dans le secteur des DRAM, les entreprises étaient toujours confrontées aux défis d’une situation financière tendue en raison de stocks élevés et d’une faible demande des consommateurs au cours des derniers trimestres.

La situation s’étant désormais améliorée, les efforts se sont réorientés vers la R&D de nouvelle génération. Samsung a annoncé sa propre implémentation de DRAM 3D, qui devrait être mise en œuvre au cours de l’année prochaine.

Après avoir examiné les diapositives de la présentation, il est évident que l’industrie de la DRAM est en transition vers des lignes de compression inférieures à 10 nm. Afin de surmonter la stagnation du développement de technologies DRAM avancées, Samsung a l’intention de mettre en œuvre deux nouvelles techniques, les transistors à canal vertical et la DRAM empilée, qui impliquent des variations dans le placement des composants. Ces méthodes innovantes conduisent finalement à une utilisation réduite de la zone de l’appareil et, par conséquent, à une amélioration des performances.

De la même manière, Samsung entend améliorer les capacités de mémoire en utilisant le concept de DRAM empilée. Cette approche permet à l’entreprise d’atteindre un ratio stockage/surface plus élevé, augmentant potentiellement les capacités des puces à 100 Go à l’avenir. Il est prévu que le marché de la DRAM 3D pourrait atteindre 100 milliards de dollars d’ici 2028. Les premiers développements de Samsung suggèrent que la société coréenne pourrait prendre la tête du secteur de la DRAM, même s’il est encore trop tôt pour faire une telle prédiction.