TSMC présente les nouveaux nœuds Finflex N3/E et le nœud Nanosheet N2

TSMC a récemment tenu son symposium technologique annuel où il a parlé de l’avenir de la technologie des nœuds technologiques qui sera utilisée dans les futures générations de processeurs. TSMC a connu plusieurs avancées majeures, notamment la nouvelle technologie Finflex pour le N3 et le N3E, ainsi que le nouveau nœud N2 avec une nouvelle technologie de transistor. 

Selon TSMC, le nœud N2 est la prochaine grande percée après N3. Offrant une augmentation de vitesse de 10 à 15 % à la même puissance, ou une réduction de puissance de 25 à 30 % à la même vitesse, le nouveau nœud N2 promet d’offrir un autre saut générationnel. Le nouveau processus de fabrication utilisera l’architecture des transistors à nanofeuilles et comprendra une variante hautes performances, une version mobile et une solution centrée sur les puces.

Passant à Finflex, la nouvelle technologie de TSMC promet d’offrir aux clients plus de flexibilité avec trois configurations différentes. Il s’agit de la configuration 3-2 ailettes pour les composants hautes performances, la configuration 2-1 ailettes pour une efficacité et une densité de transistor maximales, et la configuration équilibrée 2-2 ailettes. Cette nouvelle technologie sera disponible pour les nœuds technologiques N3 et N3E, permettant aux clients de créer des solutions adaptées à leurs besoins.

En plus du N2 et de la nouvelle technologie Finflex, TSMC a également parlé du successeur du N12e. Faisant partie de la plate-forme TSMC Ultra-Low Power, le nouveau nœud est conçu pour les appareils de périphérie IA et IoT. De plus, il sera basé sur le processus 7 nm, offrant trois fois la densité logique de son prédécesseur. Enfin, la société de semi-conducteurs a déclaré que la prise en charge de l’empilement CoW (Chip-On-Wafer) et WoW (Wafer-On-Wafer) arrivera sur le nœud N5 en 2023.